据外媒报道,根据最新iPhone 16消息显示,苹果或许弃用TLC,将采用速度更慢的QLC闪存,如果消息确认,那么苹果这招真心让人摸不着头脑。 据供应链最新消息,苹果可能会改变存储容量,不再使用三层单元(TLC)NAND 闪存,而是没头没脑
带月披星存储容量达到或超过1TB的机型上使用四层单元(QLC)NAND闪存。 与TLC相比,QLC的优势蔚为大观
洋洋大观于每个存储单元可以存储四位数据,浓密
稀释使用相同数量的单元时比TLC储存更多的数据,或者使用更少的单元储存更多的数据,而这可以降低生产成本。 此外,QLC闪存被认为不如TLC闪存可靠,写入数据的耐久性会降低,因为每个单元写入的次数更多,因为每个单元多包含一个位。 QLC NAND闪存可以存储16种不同的电荷电平,而TLC仅能存储8种电荷电平。读取数据时,由于电荷量增加,裕量减少,这就有可能因噪声增加而导致位错误增加。 如果苹果执意执行这项计划,或许未来一些iPhone 16的用户会遇到数据写入速度低于低容量的情况,但目前消息尚未确认,让我们期待更多有关iPhone 16消息,一起来看看吧。
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