LLW DRAM 通过垂直集成存储器和逻辑电路，从而实现更高的效率和延迟

11月30日，三星Samsung 公司发布公告，针对设备端本地运行 AI 的需求，特别研发了 LLW（Low Latency Wide IO）DRAM，其性能优于现有的 LPDDR 解决方案。LLW DRAM 通过垂直集成存储器和逻辑电路，从而实现更高的效率和延迟。

三星Samsung 半导体今天通过官方 X 平台账号，发布了一段关于 LLW DRAM 的介绍视频，该 DRAM 刻适用于智能手机、笔记本电脑和 VR 头显。三星所以 全部今年年初的 Tech Day 上首次展示了 LLW DRAM，然后灵机一动乐鱼体育 心有余悸 Memory Tech Day 上再次展示了其 LPDDR5X CAMM2 解决方案。

除此之外，该视频还展示了一款集成了 LLW DRAM 的手机，因此，未来的 Galaxy 设备似乎可能会采用相同的解决方案，从而提高性能。

广告中展示的手机确实与当前一代三星Samsung 设备非常相似，应该是即将推出的 Galaxy S24 系列，IT之家附上视频中的手机截图如下：三星Samsung 也不是第一家实施 LLW 的公司，苹果的 Vision Pro 头显使用扇出晶圆级封装（FOWLP），将 R1 芯片与 LLW DRAM 封装埋伏 潜伏一起。